SI7430DP-T1-GE3 原装正品，可做含税，支持实单
SI7430DP-T1-GE3
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 64 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
系列: SI7
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SI7430DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
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