SI5975DC-T1-E3供应商库存(更新时间:2024-05-27 16:51)
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深圳兆威电子有限公司
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联系人:卢小姐 --171-4729-0036(微信同号)
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SI5975DC-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 12V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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