制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ChipFET-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 最小值: 9.5 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.05 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 32 ns
系列: SI54
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.65 mm
零件号别名: SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3
单位重量: 85 mg
