VS8115YA_VITESSE 21+ TSSOP导读
首先介绍了半导体行业市场发展环境、半导体整体运行态势等，接着分析了半导体行业市场运行的现状，然后介绍了半导体市场竞争格局。
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VSC7391HO
ADG408BRZ+B46:B51-REEL7 LT1172IS8#TRPBF AD8512ARZ-REEL7 ADM2582EBRWZ-REEL7 AD706JRZ-REEL7 。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
然而，随着并行收发器通道数目的增加，外围电路的复杂性和功耗也相应升高。MIMO 架构允许放宽对放大器和开关等构建模块的 RF 功率要求。
高度集成的单芯片射频收发器解决方案 (例如，ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009产品系列) 的面市促成了此项成就。在此类系统的 RF 前端部分仍然需要实现类似的集成，意在降低功耗 (以改善热管理) 和缩减尺寸(以降低成本)，从而容纳更多的 MIMO 通道。
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VITESSE 21+ BGA
它简化了电源要求，且不需要高功率电阻器。与基于 PIN 二极管的开关相比，硅开关所占用的 PCB 面积不到其 1/10。并排对比了单层 PCB 设计上基于 PIN 二极管的开关和新型硅开关的印刷电路板 (PCB) 原图。
ADG408BRZ-REEL7 LTC3780EG#TRPBF ADG1206YRUZ-REEL7 AD8512ARMZ-REEL LT3990EMSE#TRPBF 。
ADI 的新款高功率硅开关更适合大规模 MIMO 设计。它们依靠单 5 V 电源供电运行，偏置电流小于 1 mA，并且不需要外部组件或接口电路。
在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。时分双工 (TDD) 系统中，天线接口纳入了开关功能，以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。该开关功能可直接在天线接口上使用 (在功率相对较低的系统中，如图 1 所示)，或在接收路径中使用 (针对较高功率应用，如图 2 所示)，以保证正确接至双工器。
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ADI 的高功率硅开关能够处理高达 80 W 的 RF 峰值功率，这足以满足大规模 MIMO 系统的峰值平均功率比要求，并留有裕量。
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