070N06L_070N06L导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
从(1)也可以看出，MOS除了D、G、S三个极之外，还有一个Sub极，Sub和S极有连接关系，因此(2)MOS的电路符号中，会将MOS内部指向沟道N沟道的箭头和S极连接在一起（世界上没有无缘无故的爱也没有无缘无故的恨）。
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0903BD
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
04021.5K5%_04021.6K1%_04021.8K5%_040210K1%_0402200K5%_。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
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03P4J-T2-AZ
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
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开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。
]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs 的充电,从而使得Vgs 近乎水平状态，Cgd 电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。
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