您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻SSF2816E

SSF2816E

来源: 深圳市百域芯科技有限公司 发布时间:2021-09-23

公司名: 深圳市百域芯科技有限公司

联系人:许小姐

手机:13546881014

电话:400-666-5385

地址:深圳市福田区华强北都会轩4507

摘要:SSF2816E
SSF2816E导读

而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势,与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续品质和稳定供货。

今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。



DMN2041LSD_SI4834DY-T1-E3



SSF2816E
势垒电容:功率半导体中,当N型和P型半导体结合后,由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中,因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区(该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行,较终使扩散运动达到平衡);。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。



DMN2041LSD_SI4834DY-T1-E3



SSF2816E
别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进,选用一种笔直V型槽结构。为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题,在大功率MOSFET中一般选用两种技能,一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来,前进MOSFET的载流才华。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。

可变电阻区(UDS 在这个区域内,UDS增加时,ID线性增加。在导电沟道挨近夹断时,增长变缓。在低UDS分开夹断电压较大时,MOS管相当于一个电阻,此电阻跟着UGS的增大而减小。截止区(UGS)。图MOS管的漏极输出特性场效应晶体管的输出特性能够划分为四个区域:可变电阻区、截止区、击穿区和恒流区。

例如电子燃油喷射系统、制动防抱死控制、防滑控制、牵引力控制、电子控制悬架、电子控制自动变速器、电子动力转向等,另一类是车载汽车电子装置,车载汽车电子装置是在汽车环境下能够独立使用的电子装置,它和汽车本身的性能并无直接关系。。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

DMN2041LSD_SI4834DY-T1-E3



NCE3401的性能参数表现还是不错的,适用于作负载开关或脉宽调制应用,阻抗值也比较低,而且新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术,其部分产品的参数性能与送样表现,可以与国外的MOS管相差无几,比如同样用在锂电池保护板中,NCE3401,AO3401,IRLML5203TR,DMP3098L-7,我认为相比较来看功能可以满足,并且价格适中的NCE3401更加合适。

而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。



相关资讯



该公司相关新闻