2N7002T-7-F

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-523-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 115 mA
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 mW
通道模式: Enhancement
系列: 2N7002T
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
正向跨导 - 最小值: 80 mS
高度: 0.75 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Enhancement Mode Field Effect Transistor