NE850R599供应商库存(更新时间:2026-04-27 18:07)
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深圳市豪迈兴电子有限公司
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深圳市振宏微科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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地址:深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层216-1
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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标准国际(香港)有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市胜彬电子有限公司
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
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深圳市芯皇电子有限公司
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深圳市东来宝电子科技有限公司
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深圳市百诺芯科技有限公司
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
联系人:王先生/綦先生【原装正品】
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
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NE850R599参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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