IXST40N60B2D1供应商库存(更新时间:2025-08-16 11:09)
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IXST40N60B2D1
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只做原装进口现货,专注配单
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IXST40N60B2D1
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9000
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22+
原厂渠道,现货配单
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IXST40N60B2D1
IXYS/艾赛斯
6000
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22+
十年配单,只做原装
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24+
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IXYS-艾赛斯
78800
TO-247-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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6000
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23+
原装正品,支持实单
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IXST40N60B2D1参数规格
功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
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