制造商: IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:
技术: Si
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 170 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.17 kW
系列: 650V Ultra Junction X2
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 15 ns
工厂包装数量：10
子类别: Discrete and_Power Modules
商标名: HiPerFET
类型: HiperFET
典型关闭延迟时间: 133 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
Vr - 反向电压 : 100 V
单位重量: 30 g
