IXGT32N60C供应商库存(更新时间:2025-04-26 16:16)
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IXGT32N60C
IXYS-艾赛斯
78800
TO-268
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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IXGT32N60C
IXYS
9000
TO268
22+
原厂渠道,现货配单
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IXGT32N60C
IXYS
13880
TO268
21+
公司只售原装,支持实单
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IXGT32N60C
IXYS
19960
NA
23+
只做进口原装,终端工厂免费送样
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易创佳业科技(深圳)有限公司
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IXGT32N60C
IXYS
9000
TO268
23+
原装正品,支持实单
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IXGT32N60C参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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