IXGQ200N30供应商库存(更新时间:2025-08-11 14:34)
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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IXGQ200N30PB
IXYS
9000
TO3P
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深圳市惊羽科技有限公司
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IXGQ200N30PB
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瀚佳科技(深圳)有限公司
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原厂渠道,现货配单
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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IXGQ200N30PB
IXYS
30000
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代理全新原装现货,价格优势
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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IXGQ200N30PB
IXYS/艾赛斯
60000
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深圳市东来宝电子科技有限公司
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IXYS/艾赛斯
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郑重承诺只做原装进口现货
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市创新迹电子有限公司
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25000
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只做原装进口现货,专注配单
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京海半导体(深圳)有限公司
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上海市鑫鸿达电子
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深圳市科雨电子有限公司
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326
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IXGQ200N30参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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