IXFQ26N50Q供应商库存(更新时间:2024-05-02 09:01)
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IXFQ26N50
IXYS
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IXFQ26N50
IXYS-艾赛斯
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IXFQ26N50
IXYS/艾赛斯
25000
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IXFQ26N50
IXYS/艾赛斯
10000
TO-3P
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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IXFQ26N50
IXYS
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TO-3P-3
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IXYS
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TO3P3 SC653
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IXFQ26N50
IXYS
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IXYS
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TO3P3 SC653
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IXYS
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TO3P3 SC653
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IXFQ26N50
IXYS/艾赛斯
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深圳市科雨电子有限公司
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326
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IXFQ26N50Q参数规格
功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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