BSM35GB120DN供应商库存(更新时间:2024-06-15 19:13)
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深圳市胜彬电子有限公司
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司
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BSM35GB120DN参数规格
功能描述:IGBT 模块 1200V 35A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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发布时间:2021-12-28
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芯片详细信息
ManufacturerPartNumber:
BSH114
RohsCode:
Yes
PartLifeCycleCode:
Transferred
IhsManufacturer:
PHILIPSSEMICONDUCTORS
PackageDescription:
,
ReachComplianceCode:
unknown
ECCNCode:
EAR99
Manufacturer:
PhilipsSemi
发布时间:2021-07-02