BSM200GA120DN2F供应商库存(更新时间:2024-06-03 21:29)
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深圳市星佑电子有限公司
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BSM200GA120DN2
EUPEC
77
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深圳市华睿芯科技有限公司
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BSM200GA120DN2
Infineon Technologies
1262
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深圳市赛尔通科技有限公司
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BSM200GA120DN2
IGBT
55
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深圳市华来深电子有限公司
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INFINEON
200
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深圳市豪迈兴电子有限公司
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BSM200GA120DN2
EUPEC
21322
200A/1200V/I
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深圳中芯器材有限公司
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BSM200GA120DN2
INFINEON
1000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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Infineon/英飞凌
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深圳市航宇科工半导体有限公司
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INFINEON/英飞凌
1120
IGBT
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深圳兆威电子有限公司
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INFINEON/英飞凌
90000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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INFINEON/英飞凌
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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EUPEC-欧派克
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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INFINEON/英飞凌
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深圳市跃创芯科技有限公司
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INFINEON/英飞凌
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只做原装进口现货,专注配单
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深圳市胜彬电子有限公司
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EUPEC
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深圳市恒达亿科技有限公司
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EUPEC
50
200A/1200V/I
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全新原装、诚信经营、公司现货销售
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BSM200GA120DN2F参数规格
功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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芯片详细信息
ManufacturerPartNumber:
BSH114
RohsCode:
Yes
PartLifeCycleCode:
Transferred
IhsManufacturer:
PHILIPSSEMICONDUCTORS
PackageDescription:
,
ReachComplianceCode:
unknown
ECCNCode:
EAR99
Manufacturer:
PhilipsSemi
发布时间:2021-07-02