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BSM10GD120DN2供应商库存(更新时间:2024-04-27 23:00)

BSM10GD120DN2参数规格

功能描述:IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

BSM10GD120DN2价格

参考价格:274.6967

型号:BSM10GD120DN2 品牌:INFINEON 说明:BSM10GD120DN2多少钱,2024年最近一个月行情走势,BSM10GD120DN2批发/采购报价,BSM10GD120DN2行情走势销售排行榜,BSM10GD120DN2报价。

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