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SIS413DN-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-01 20:00)

SIS413DN-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:P-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:18 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):9.4 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8 封装:Reel

SIS413DN-T1-GE3价格

参考价格:1.2842

型号:SIS413DN-T1-GE3 品牌:Vishay 说明:SIS413DN-T1-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIS413DN-T1-GE3批发/采购报价,SIS413DN-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIS413DN-T1-GE3报价。

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