摘要：优势渠道
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24.7A（Ta），106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.55 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4150 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.4W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SIR120
