SIR414DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-30 10:29)
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市诚中源科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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SiR414DP-T1-GE3
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深圳市创新迹电子有限公司
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SIR414DP-T1-GE3
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SIR414DP-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR414DP-T1-GE3价格
参考价格:4.4947
型号:SIR414DP-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SIR414DP-T1-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIR414DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR414DP-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIR414DP-T1-GE3报价。
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