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内置低导通电阻开关：40/30mΩ1MHz开关频率最大程度地减小外部元件尺寸外部可调软启动限制浪涌电流可100％占空比工作电源正常指示器符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：DFN3x3-10
发布时间：2021-08-16内置低导通电阻开关（PFET/NFET）：70mΩ/40mΩ4A连续，7A峰值负载电流能力PWM模式下输出电压精度为±1％轻载时PFM模式效率高通过VID0，VID1引脚选择固定输出电压支持低功耗模式逻辑输入30μA静态电流超快速负载瞬态性能通过灵活的MODE下拉电阻选择电源轨电源正常指示器自锁式
发布时间：2021-08-13内置低导通电阻开关（PFET/NFET）：70mΩ/40mΩ4A连续，7A峰值负载电流能力PWM模式下输出电压精度为±1％轻载时PFM模式效率高通过VID0，VID1引脚选择固定输出电压支持低功耗模式逻辑输入30μA静态电流超快速负载瞬态性能通过灵活的MODE下拉电阻选择电源轨电源正常指示器自锁式
发布时间：2021-08-13内置低导通电阻开关：75mΩ/55mΩ打嗝式短路保护符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：QFN3x3-16
发布时间：2021-08-13内部软启动限制浪涌电流可100％占空比工作电源正常指示器可靠的自锁式保护：--输出欠压--热关断-输出电压超过调节电压的120％时输出自放电功能符合RoHS标准且无卤素紧凑型封装：SOT23-6
发布时间：2021-08-12
