SUP60N06-12P-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-01 16:16)
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深圳市惊羽科技有限公司
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SUP60N06-12P-GE3
VISHAY-威世
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深圳市中联芯电子有限公司
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SUP60N06-12P-GE3
VBsemi
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SUP60N06-12P-GE3
VBsemi
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TO220
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VBsemi
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SUP60N06-12P-GE3
VBSEMI/台湾微碧
60000
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SUP60N06-12P-GE3
VBSEMI/台湾微碧
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深圳市威尔健半导体有限公司
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SUP60N06-12P-GE3
VBSEMI/台湾微碧
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SUP60N06-12P-GE3
VBsemi/台湾微碧
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SUP60N06-12P-GE3
Siliconix / Vishay
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SUP60N06-12P-GE3
VISHAY
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SUP60N06-12P-GE3
VBsemi
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SUP60N06-12P-GE3
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SUP60N06-12P-GE3
VBsemi
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SUP60N06-12P-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 60V 60A 100W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUP60N06-12P-GE3价格
参考价格:5.8649
型号:SUP60N06-12P-GE3
品牌:Vishay
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