SUM110P08-11L-E3 原装正品，可做含税，支持实单
SUM110P08-11L-E3
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 550 ns
正向跨导 - 最小值: 85 S
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 330 ns
系列: SUM
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 135 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 9.65 mm
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