STGD10NC60KT4供应商库存(更新时间:2026-03-01 20:00)
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STGD10NC60KT4
STMICRO
7786
N/A
25+
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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STGD10NC60KT4
STMICRO
7786
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STGD10NC60KT4
ST-意法半导体
43788
TO-252-3
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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ST
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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STGD10NC60KT4
ST
9000
DPak
22+
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深圳市高捷芯城科技有限公司
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STGD10NC60KT4
STMICRO
7734
N/A
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STGD10NC60KT4
ST/意法
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STGD10NC60KT4
STMicroelectronics
2479
2024
全新、原装
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STGD10NC60KT4参数规格
功能描述:IGBT 晶体管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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