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STGB35N35LZT4供应商库存(更新时间:2024-05-16 13:30)

STGB35N35LZT4参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

STGB35N35LZT4价格

参考价格:11.4150

型号:STGB35N35LZT4 品牌:STMicroelectronics 说明:STGB35N35LZT4多少钱,2024年最近一个月行情走势,STGB35N35LZT4批发/采购报价,STGB35N35LZT4行情走势销售排行榜,STGB35N35LZT4报价。

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