您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
位置:首页型号索引STD50NH02L-1

STD50NH02L-1供应商库存(更新时间:2025-11-24 20:00)

STD50NH02L-1参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:STripFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

STD50NH02L-1相关型号

STD50NH02L-1相关品牌

STD50NH02L-1相关新闻

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

发布时间:2024-01-06

STD95N4LF3

STD95N4LF3

发布时间:2023-04-10

STD36P4LLF6

进口代理

发布时间:2022-12-03

STDP2650ADT

STDP2650ADT

发布时间:2022-11-15

STD45P4LLF6AG

原装正品现货

发布时间:2022-05-19

STD36P4LLF6

製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TO-252-3 晶體管極性: P-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V Id - C連續漏極電流: 36 A Rds On - 漏-源電阻: 17.5 mOhms Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5

发布时间:2021-06-09