STD4815NT4G供应商库存(更新时间:2025-10-30 13:43)
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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深圳市盈慧通电子有限公司
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深圳市润联芯城科技有限公司
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地址:深圳市福田区华强北路1019号华强B座25楼
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深圳市中联芯电子有限公司
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深圳市腾亿芯科技有限公司
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深圳市恒创达实业有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市纳立科技有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋730
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现代芯城(深圳)科技有限公司
联系人:董先生 李先生
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
联系人:朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
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地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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深圳市诺美思科技有限公司
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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深圳市恒达亿科技有限公司
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地址:深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东10楼A2
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深圳市昊天芯诚电子有限公司
联系人:黄总
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ST/意法半导体
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原厂封装
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STD4815NT4G参数规格
功能描述:MOSFET NFET 30V 35A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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STDP2650ADT
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製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 17.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5
发布时间:2021-06-09