STD1NB60-1供应商库存(更新时间:2025-08-12 16:55)
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深圳市昂芯微科技有限公司
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STD1NB60-1
ST
6996
TO251
23+
只做原装正品现货
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深圳市惊羽科技有限公司
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STD1NB60-1
ST-意法半导体
78800
TO-251-3
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市创新迹电子有限公司
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STD1NB60-1
ST
25000
TO-251
22+
只做原装进口现货,专注配单
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深圳市一线半导体有限公司
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STD1NB60-1
ST
200000
TO-251
24+
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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STD1NB60-1
ST
50000
TO-251
2024+
原装现货
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深圳市河锋鑫科技有限公司
联系人:杨小姐
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STD1NB60-1
ST
6000
TO-251
22+
十年配单,只做原装
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深圳和润天下电子科技有限公司
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STD1NB60-1
ST/意法
16152
TO-251
22+
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询价
STD1NB60-1参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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发布时间:2023-06-05
STD25NF10LA
发布时间:2023-02-23
全新原装现货 支持第三方机构验证
发布时间:2022-06-07
STC8H1K17-36I-QFN20
发布时间:2021-10-29
製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 17.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5
发布时间:2021-06-09
製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 25 A
Rds On - 漏-源電阻: 35 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.5 V
发布时间:2021-06-09