STB13NM50N-1供应商库存(更新时间:2025-11-29 16:16)
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STB13NM50N-1
ST/意法
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STB13NM50N-1参数规格
功能描述:MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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