摘要：MOSFET
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 18.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 299 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
系列: STB21N90K5
单位重量: 4 g
