STB12NM60N-1供应商库存(更新时间:2025-08-26 10:55)
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STB12NM60N-1
ST
6000
TO220MONOC..
22+
十年配单,只做原装
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STB12NM60N-1
ST
8866
TO220MONOC..
24+
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STB12NM60N-1
ST
6200
I2PAK
17+
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STB12NM60N-1
ST/意法
21458
TO220MONOC
22+
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深圳市惊羽科技有限公司
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STB12NM60N-1
ST-意法半导体
78800
TO-262-3
24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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STB12NM60N-1参数规格
功能描述:MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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STB12NM60N-1
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Stanley
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ST
TOTO-220MONO
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STB12NM60N-1
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STETCO
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TOTO-220MONO
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