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SIR664DP-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-04 22:30)

SIR664DP-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:60 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:60 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):6 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 封装:Reel

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