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SIHP12N60E-GE3供应商库存(更新时间:2024-05-13 20:19)

SIHP12N60E-GE3参数规格

功能描述:MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SIHP12N60E-GE3价格

参考价格:6.5958

型号:SIHP12N60E-GE3 品牌:VISHAY 说明:SIHP12N60E-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SIHP12N60E-GE3批发/采购报价,SIHP12N60E-GE3行情走势销售排行榜,SIHP12N60E-GE3报价。

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