SIHB23N60E-GE3供应商库存(更新时间:2025-10-01 13:00)
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SIHB23N60E-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:23 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.158 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK-3 封装:Bulk
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