SIHB12N65E-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-03 17:09)
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SIHF12N65E-GE3
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SIHB12N65E-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:Vishay / Siliconix 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:700 V 闸/源击穿电压:20 V 漏极连续电流:12 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.392 Ohms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK-3 封装:Bulk
SIHB12N65E-GE3价格
参考价格:8.4803
型号:SIHB12N65E-GE3
品牌:VISHAY
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