SIE882DF-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-06 17:26)
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SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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SIE882DF-T1-GE3
VISHAY-威世
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SIE882DF-T1-GE3
VISHAY
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10-PAK
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SIE882DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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2025+
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SIE882DF-T1-GE3
VISHAY
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SIE882DF-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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