SIE836DF-T1-GE3供应商库存（更新时间：2021-09-14 10:50）
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SIE836DF-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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