SIB419DK供应商库存(更新时间:2026-01-12 20:13)
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SIB419DK-T1-GE3
VISHAY-威世
78800
SC-75
24+25+/26+27+
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SIB419DKT1GE3
Vishay Siliconix
9000
PowerPAK? SC756L
22+
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SIB419DK-T1-GE3
Vishay/Siliconix
7500
SC-70-6
24+
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SIB419DK-T1-E3
VISHAY
28950
QFN
23+24
专营原装正品SMD二三极管,电源IC
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SIB419DKT1GE3
Vishay Siliconix
9000
PowerPAK? SC756L
22+
原厂渠道,现货配单
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SIB419DK-T1-GE3
VISHAY
3000
SC-75-6
25+
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3000
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SIB419DK参数规格
功能描述:MOSFET 12V 9.0A 13.1W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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