SIB411DK-T1-E3供应商库存（更新时间：2025-11-16 16:16）
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SIB411DK-T1-E3
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SIB411DK-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 66mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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SIB411DK-T1-E3
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SIB411DK-T1-E3
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VISHAY/威世
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