SI7342DP-T1-E3供应商库存(更新时间:2025-08-25 10:51)
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SI7342DP-T1-E3
VISHAY/威世
9852
QFN
1942+
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SI7342DP-T1-E3
VISHAY/威世
4000
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SI7342DP-T1-E3
VISHAY/威世
54648
QFN
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SI7342DP-T1-E3
原装VISHAY
35200
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SI7342DP-T1-E3
原装VISHAY
63200
QFN
24+
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SI7342DP-T1-E3
原装VISHAY
20000
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SI7342DP-T1-E3
VISHAY-威世
78800
QFN-8.贴片
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SI7342DP-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 15A 5.0W 8.25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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