SI7224DN-T1-E3供应商库存(更新时间:2026-04-24 22:58)
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SI7224DN-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 6.0A 17.8/23W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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发布时间:2024-01-09
SI7149DP-T1-GE3 场效应管 VISHAY/威世 封装SO-8
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SI7454DDP-T1-GE3
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发布时间:2022-05-18
www.hfxcom.com
发布时间:2022-02-16
www.hfxcom.com
发布时间:2021-10-18