SI6963BDQ-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-04-28 22:30)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市东来宝电子科技有限公司
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深圳市恒创达实业有限公司
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深圳市博浩通科技有限公司
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深圳市一线半导体有限公司
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地址:深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A
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深圳市创新迹电子有限公司
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天津市博通航睿技术有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市宏兴瑞科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市中福国际管理有限公司
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深圳硅原半导体有限公司
联系人:李运鸿
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地址:深圳市龙岗区坂田街道坂雪岗大道与永香路交汇处创汇国际中心706
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深圳市科雨电子有限公司
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SI6963BDQ-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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