SI6562DQ-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-20 22:30)
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C栋706
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深圳市华来深电子有限公司
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SI6562DQ-T1-GE3
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地址:国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室(微信号:sz8910)
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深圳市九方航科技有限公司
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SI6562DQ-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 20V 30/50mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6562DQ-T1-GE3价格
参考价格:4.5007
型号:SI6562DQ-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI6562DQ-T1-GE3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SI6562DQ-T1-GE3批发/采购报价,SI6562DQ-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI6562DQ-T1-GE3报价。
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