SI6467BDQ-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-05-02 20:00)
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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深圳市东来宝电子科技有限公司
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SI6467BDQ-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 12V 8.0A 1.5W 12.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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参考价格:3.9036
型号:SI6467BDQ-T1-GE3
品牌:VISHAY
说明:SI6467BDQ-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI6467BDQ-T1-GE3批发/采购报价,SI6467BDQ-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI6467BDQ-T1-GE3报价。
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