SI6459BDQ-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-10 20:00)
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY/威世
100000
TSSOP-8
22+
代理渠道/只做原装/可含税
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY-威世
78800
TSSOP-8
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SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay/Siliconix
7500
8-TSSOP
07+/08+
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY/威世
25000
8-TSSOP
22+
只有原装原装,支持BOM配单
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY/威世
25000
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只有原装绝对原装,支持BOM配单!
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY
6680
8-TSSOP
23+
全新原装优势
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY/威世
20000
TSSOP-8
22+
保证原装正品,假一陪十
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SI6459BDQ-T1-GE3
VISHAY
3000
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3000
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20+
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SI6459BDQ-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 60V 2.7A 1.5W 115mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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