SI5935CDC-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-08-26 17:04)
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深圳市讯顺达科技有限公司
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深圳市凯睿晟科技有限公司
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深圳市禾兴威科技有限公司
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深圳市恒创达实业有限公司
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深圳市宝芯创电子有限公司
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深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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地址:深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D
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SI5935CDC-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5935CDC-T1-GE3价格
参考价格:0.8884
型号:SI5935CDC-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI5935CDC-T1-GE3多少钱,2025年最近一个月行情走势,SI5935CDC-T1-GE3批发/采购报价,SI5935CDC-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI5935CDC-T1-GE3报价。
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