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SI5482DU-T1-GE3供应商库存（更新时间：2025-10-17 10:03）

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SI5482DU-T1-GE3参数规格

功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 15mohm @ 10V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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