SI5461EDC-T1-GE3供应商库存(更新时间:2025-07-29 10:35)
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SI5461EDC-T1-GE3
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原装正品 可含税交易
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SI5461EDC-T1-GE3
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只做原装 可免费提供样品
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SI5461EDC-T1-GE3
VISHAY/威世
25000
SOT23-8
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只有原装原装,支持BOM配单
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VISHAY-威世
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SI5461EDC-T1-GE3
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SI5461EDC-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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SI5461EDC-T1-GE3
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