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SI4936CDY-T1-E3参数规格
功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
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Si4816BDY-T1-E3原包原装,强势威世
发布时间:2023-05-09
SI4944DY-T1-E3
发布时间:2021-12-09
Si522A,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.
发布时间:2021-11-10
Si522,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.
发布时间:2021-11-10
P-ChannelMOSFET,SMD/SMTMOSFET,SMD/SMT1ChannelP-ChannelMOSFET,SMD/SMTN-ChannelMOSFET,GaNMOSFET,N-Channel3.3VMOSFET
发布时间:2021-09-17
SI4704-D60-GMRSI4730-D60-GURSI4704-D60-GMRSI8641ED-B-ISRSI4705-D60-GMRSI4703-C19-GMRMCIMX6Y2CVM05ABMCIMX6U5EVM10ACLPC11E68JBD64ES9KEAZ128AMLKTJA1044GT/3实单必成
发布时间:2021-07-29