SI4403BDY-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-06-05 11:14)
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深圳市跃创芯科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳兆威电子有限公司
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深圳市佳杰伟业科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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京海半导体(深圳)有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳廊盛科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市惊羽科技有限公司
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SI4403BDY-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 20V 9.9A 2.5W 17mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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发布时间:2021-04-07