SI3851DV-T1-GE3供应商库存(更新时间:2024-04-27 23:00)
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深圳市广弘电子有限公司
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Si3851DV-T1-GE3
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5500
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20+
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SI3851DV-T1-GE3
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15250
NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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深圳市科芯源微电子有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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54258
TSOP-6
23+
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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深圳市威尔健半导体有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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12000
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23+
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深圳市惊羽科技有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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36218
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24+25+/26+27+
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市安富世纪电子有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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50000
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21+
终端可免费提供样品,欢迎咨询
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SI3851DV-T1-GE3
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23+
原装正品现货
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
64610
N/A
23+
正品授权货源可靠
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:方经理
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SI3851DV-T1-GE3
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50000
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全新原装正品现货,支持订货
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京海半导体(深圳)有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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10000
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21+
原装现货假一罚十
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深圳廊盛科技有限公司
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SI3851DV-T1-GE3
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80000
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2022
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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SI3851DV-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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